1. Visto da vicino
Toshiba ci ha inviato il sample per la recensione in una semplice busta antistatica e, quindi, privo della confezione retail e dell'eventuale bundle con cui viene regolarmente commercializzato.
Per tale motivo non siamo in grado di illustrarvi null'altro che il drive in oggetto il quale, nella sua parte superiore, non presenta alcuna etichetta o serigrafia che possa meglio identificarlo.
Inferiormente, invece, possiamo trovare un adesivo recante le varie informazioni principali sul drive, corredate dai consueti codici a barre ed i loghi delle certificazioni ottenute dallo stesso.
Dopo aver aperto lo chassis del Toshina HG6 possiamo osservarne il PCB, di dimensioni standard, ed i pad termoconduttivi posti su memorie e controller.
Ad una più attenta analisi si nota uno spazio vuoto che, solitamente, viene occupato dal chip DRAM per la cache ma, evidentemente, il produttore ha ritenuto di poterne fare a meno.
I primi modelli di SSD richiedevano l'utilizzo di entrambe le facciate del PCB per posizionare gli ICs delle memorie anche per capacità non elevate ma, con l'aumento della densità di queste ultime, si è arrivati a poter occuparne solo una, lasciando l'altra completamente priva di componenti.Â
Adiacente al connettore SATA troviamo un ulteriore connettore a 4 pin, utilizzato sicuramente dai tecnici in fase di debug.
Il lato superiore accoglie tutti i componenti utilizzati in un layout pulito ed ordinato, evidenziando l'utilizzo di otto chip di memoria da 32GB ognuno, per una capacità complessiva di 256GB.
Come già accennato in copertina, il controller utilizzato è di produzione Toshiba e, precisamente, il modello TC358790XBG utilizzato anche sul Q Series Pro.
Il controller in questione ha un interfaccia di collegamento di tipo interleaving a otto canali verso le NAND Flash ed utilizza la tecnologia Quadruple Swing-By Code (QSBC), in pratica una versione ECC ad elevata efficienza in grado di proteggere da qualsiasi errore di lettura.
Altra importante funzionalità implementata è l'Adaptive Size SLC Write che, alla stregua della tecnologia TurboWrite di Samsung, dovrebbe garantire un incremento della velocità di scrittura.
E' supportata, infine, la crittografia dei dati conforme allo standard TCG Opal 2.0 ma, per chi desiderasse il massimo della sicurezza, può optare per un modello Self-Encrypting Drive (SED) il quale esegue automaticamente la crittografia dei dati a livello hardware ed attiva, sempre automaticamente, la procedura di Secure Erase in caso di cambio di piattaforma in seguito ad un eventuale furto del drive stesso.
L'immagine in alto ci mostra le nuove NAND Flash Toshiba A19nm identificate dalla sigla TH58TEG8DDKBA8C le quali, grazie ad un avanzato processo produttivo, raggiungono una densità di 64Gbit su 94mm² e sono in grado di supportare una velocità di scrittura sino a 25MB/s per ogni Die.
Questi particolari ICs di recente produzione sono NAND Flash Toggle Mode di tipo sincrono, utilizzano una configurazione MLC (Multi Level Cell) a due bit per cella, un package del tipo 48 pin TSOP, sono conformi allo standard DDR Toggle Mode 2.0 ed hanno un arco di vita stimato in circa 3.000 cicli di scrittura.
Ricordiamo che un'interfaccia di tipo sincrono consente di scambiare un maggior quantitativo di dati con evidenti benefici dal punto di vista prestazionale.
