5. Perfomance - Analisi dell'IC
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In questa serie di prove analizzeremo il comportamento dell'IC all'aumentare della frequenza operativa in rapporto al Cas utilizzato.
In questo modo la lettura dei valori ottenuti permetterà di comprendere meglio la qualità del modulo di memoria, scoprendo così le caratteristiche di funzionamento dei chip in base ai timings utilizzati dal produttore.
Dopo aver fatto qualche prova preliminare, in modo da verificare il comportamento dell'IMC della CPU in abbinamento al kit di memorie, abbiamo rilevato che il valore di tensione in grado di consentire le migliori performance delle Kingston HyperX Beast 2400MHz CL11 32GB sono state, rispettivamente, di 1,70V per il VDRAM e di 1,25V per il VCCSA, nelle condizioni di temperatura in cui abbiamo operato e con il sistema di raffreddamento a nostra disposizione.
Il VDRAM utilizzato in questa serie di test supera, seppur di poco, le specifiche stabilite da Intel per processori Sandy Bridge-E ma, grazie all'adeguato raffreddamento del processore e dei moduli in prova, si è cercato di ridurre al minimo il rischio di eventuali guasti.Â
La tipologia di chip utilizzato da Kingston per questo kit di memorie appartiene alla nuova serie di semiconduttori operanti a bassa tensione, impiegati dalla maggior parte dei produttori di memorie ad alte prestazioni.
Presumibilmente si tratta di IC di produzione Samsung, realizzati con processo produttivo a 30nm ma, non avendo rimosso il dissipatore, non ne abbiamo l'assoluta certezza.
Nella prima serie di test abbiamo impostato il valore del tRCD +2 rispetto al CAS, così come da specifica dei timings utilizzati dal produttore.
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L'utilizzo del tRCD a +2 ha consentito agli IC un guadagno significativo in termini di frequenza operativa massima, raggiungendo un ottimo valore per un kit composto da quattro moduli, pari a 2500MHz 11-13-13.
Il limite raggiunto rappresenta anche la frequenza massima di operatività della nostra piattaforma oltre la quale, utilizzando sistemi di raffreddamento convenzionali, non riusciamo ad avere un sistema completamente stabile.
Di eccellente livello anche i valori delle frequenze massime ottenute a CAS 9 e 10, mentre a CAS 8 e 7 il comportamento delle memorie fornisce un dato appena sufficiente che è sintomo di una perdita di efficienza dei nuovi IC nell'utilizzare valori di CAS così bassi.
Ricordiamo che il valore di tRCD determina il tempo minimo, in cicli di clock, dei segnali di ritardo che compongono l'indirizzamento tra riga e colonna in una cella di memoria; i moduli di memoria con chip a densità cosi elevata non consentono un uso troppo aggressivo di questo valore perché, a livello di segnale elettrico, la carica ha una durata troppo breve e non permette un corretto indirizzamento dei dati nella cella.
Nel tentativo di stabilizzare le memorie abbiamo aumentato la tensione di funzionamento della RAM portandole oltre un valore di 1,70Volt, ma le stesse sono risultate altamente instabili; sconsigliamo pertanto di utilizzare questo kit oltre il dato massimo imposto dal costruttore.
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La successiva serie di test, con un valore di tRCD +1 rispetto al CAS, permette di comprendere ancora meglio il comportamento dei moduli memoria con un elevato valore di densità come il kit oggetto della recensione.
Le frequenze raggiunte, seppur leggermente inferiori, seguono l'andamento ottenuto dalla serie di test con valori di tRCD +2, fornendo delle ottime prestazioni con un valore di CAS 9 o superiore.
La frequenza massima raggiunge quota 2470MHz 11-12-12, un valore di tutto rispetto per questo tipo di memorie.
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