5. Perfomance - Analisi dell'IC
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In questa serie di prove analizzeremo il comportamento dell'IC all'aumentare della frequenza operativa in rapporto al Cas utilizzato.
In questo modo la lettura dei valori ottenuti permetterà di comprendere meglio la qualità del modulo di memoria, scoprendo così le caratteristiche di funzionamento dei chip in base ai timings utilizzati dal produttore.
Dopo aver fatto qualche prova preliminare, in modo da verificare il comportamento dell'IMC della CPU in abbinamento al kit di memorie, abbiamo rilevato che i valori di tensione in grado di consentire le migliori performance delle Kingston HyperX 10th Anniversary Edition 2133MHz C11 16GB Kit sono stati, rispettivamente, di 1,70V per il VDRAM e di 1,25V per il VCCSA, nelle condizioni di temperatura in cui abbiamo operato e con il sistema di raffreddamento a nostra disposizione.
Il VDRAM utilizzato in questa serie di test supera le specifiche stabilite da Intel per processori Sandy Bridge-E ma, grazie all'adeguato raffreddamento del processore e dei moduli in prova, si è cercato di ridurre al minimo il rischio di eventuali guasti.Â
La tipologia di chip utilizzato da Kingston per questo kit di memorie appartiene alla nuova serie di semiconduttori operanti a bassa tensione, impiegati dalla maggior parte dei produttori di memorie ad alte prestazioni.
Presumibilmente si tratta di IC di produzione Samsung, realizzati con processo produttivo a 30nm ma, non avendo rimosso il dissipatore, non ne abbiamo però l'assoluta certezza.
Nella prima serie di test abbiamo impostato il valore del tRCD +1 rispetto al CAS, così come da specifica dei timings utilizzati dal produttore.
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La serie di test con un valore di tRCD +1 rispetto al CAS, permette di comprendere il funzionamento dei moduli di memoria in abbinamento alla piattaforma in uso.
Analizzando le frequenze raggiunte possiamo vedere chiaramente la qualità della selezione degli IC's che equipaggiano questi moduli.
Le memorie Kingston HyperX 10th Anniversary Edition 2133MHz hanno raggiunto 2500MHz con timings 11-12-12, 2280MHz con timings 10-11-11 e 2070MHz con timings 9-10-10.
Utilizzando timings più spinti le memorie hanno potuto operare in un range compreso tra 1650MHz e 1840MHz, tutto sommato un buon risultato anche se gli IC's di questa serie non sono adatti a funzionare in alta frequenza con valori dei timings cosi tirati.
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L'utilizzo del tRCD a +2 ha consentito agli IC un guadagno significativo in termini di frequenza operativa, raggiungendo un valore di assoluto rilievo per un kit composto da quattro moduli, pari a 2440MHz 10-12-12.
Il limite massimo raggiunto, pari a 2500MHz, rappresenta anche la frequenza massima di operatività della nostra piattaforma oltre la quale, utilizzando sistemi di raffreddamento convenzionali, non riusciamo ad avere un sistema completamente stabile; per questo motivo la frequenza raggiunta con timings 11-13-13 è risultata del tutto identica quella ottenuta nella sessione precedente con un'impostazione di 11-12-12.
Di eccellente livello anche le frequenze massime ottenute a CAS 8, 9 e 10, mentre a CAS 7 il comportamento delle memorie fornisce un dato identico a quanto analizzato in precedenza, con in valore di tRCD +1, che è sintomo di una perdita di efficienza dei nuovi ICs nell'utilizzare timings così bassi.
Ricordiamo che il valore di tRCD determina il tempo minimo, in cicli di clock, dei segnali di ritardo che compongono l'indirizzamento tra riga e colonna in una cella di memoria; i moduli di memoria con chip a densità cosi elevata non consentono un uso troppo aggressivo di questo valore perché, a livello di segnale elettrico, la carica ha una durata troppo breve e non permette un corretto indirizzamento dei dati nella cella.
Nel tentativo di stabilizzare le memorie abbiamo aumentato la tensione di funzionamento della RAM portandole oltre un valore di 1,70Volt, ma le stesse sono risultate altamente instabili; sconsigliamo, pertanto, di utilizzare questo kit oltre il dato massimo imposto dal costruttore.
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