Durante lo svolgimento della conferenza di apertura all'Intel Devoloper Forum 2016 in Cina, il vice presidente senior dell'azienda di Santa Clara, Rob Crooke, ha mostrato come un prototipo dei futuri Solid State Drive "Optane", equipaggiato con le nuovissime memorie non-volatili 3D XPoint, sia in grado di raggiungere la ragguardevole velocità di trasferimento dati di 2GB/s, permettendo di copiare 26GB di dati in poco più di 15 secondi.
Entrando nei particolari di questa nuova tecnologia, stando a quanto riferito da Crooke, le memorie 3D XPoint risultano 1.000 volte più veloci e durevoli delle NAND e presentano una densità 10 volte maggiore rispetto ad un comune modulo di memoria DRAM
Al contrario di queste ultime, però, il contenuto delle memoria non volatili 3D Xpoint rimane inalterato in mancanza di energia ed inoltre, a differenza di quanto sviluppato attualmente nelle memorie NAND, la nuova tecnologia 3D XPoint non fa uso di transistor e restituisce tempi di accesso ai dati enormemente inferiori, a motivo di latenze operazionali addirittura vicine a quelle delle DRAM.
Queste circostanze permettono così alle 3D XPoint di accedere alle piccole quantità di informazioni (simulate nell'uso dei cosiddetti test 4K) con un numero impressionante di operazioni di I/O al secondo (IOPS) molto vicino alle 500.000, senza peraltro sensibili perdite di efficienza al variare della lunghezza delle code di comandi.
Entrando nel dettaglio, Crooke ha spiegato come nella tecnologia 3D XPoint gli strati dei materiali usati siano disposti in colonne, dove ognuna di queste presenta una cella di memoria ed un selettore.
Queste colonne usano una struttura incrociata di canali perpendicolari in modo da poter accedere alla singola cella semplicemente selezionando i due canali corrispondenti della struttura: quello superiore e quello inferiore alla cella in questione.
Una cella può contenere un solo bit di dati e per incrementare le prestazioni complessive del dispositivo di memorizzazione, le griglie così composte possono essere impilate nella parte superiore di ogni altra a livello quindi tridimensionale.
Una semplice variazione di tensione applicata ai singoli selettori, può facilmente gestire l'uso di letture e scritture: ciò elimina del tutto l'uso dei transistor, diminuendo i costi ed aumentando la capacità .
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