Da Samsung schede di memoria NAND-based da 20nm 1 

 

Samsung Electronics ha annunciato oggi la fine dello sviluppo del proprio chip NAND Flash a 20nm che sarà utilizzato all'interno di schede di memoria SD e nelle soluzioni embedded. Secondo l'azienda sudcoreana, le sue NAND da 20nm MLC ( Multi-Level Cell ) permetteranno una produttività superiore del 50% rispetto alle precedenti a 30nm, e consentiranno sulle schede SD che li utilizzano, di ottenere una velocità di lettura e scrittura di 10 Mb/s.

Samsung è l'unica azienda ad aver progettato questa tipologia di chip e si aspetta di dare il via alla produzione di massa di tali prodotti nel corso dell'anno. Gli articoli che saranno offerti con NAND da 20nm avranno una capacità da 4Gb a 64Gb.