Team Group PC4000 1024*2 Samsung UCCC

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  1. #61
    Nexthardware Staff L'avatar di Chicco85
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    15esima settimana del 2006.

    Per il voltaggio, era solo una questione di curiosità.

  2. #62
    nibble L'avatar di sualocin
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    ciao belle RAM!
    fortunate niente da dire ma che alimentatore hai?

    La tensione da 12V mi sembra un po' bassa

  3. #63
    Nexthardware Staff L'avatar di Chicco85
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    Superflower 500 Watt reali...

    Ma il tester non mente, ho sempre attorno i 12 Volt.

  4. #64
    Amministratore L'avatar di giampa
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    Originariamente inviato da Chicco85
    Ottimo, grazie mille!

    Altra cosa giampa... le memorie sono garantite fino a 2,8 volt, secondo te sarebbe sicuro mantenerle a 2,8 Volt da bios della dfi che ha il brutto vizio di overvoltare (a volte non di poco).

    Questa è solo una curiosità, dato che per ora non mi servono tutti quei volt.
    sì massimo 2,7 impostati da bios...
    2,76 reali... almeno sulla mia mobo...


    "Scusate, ma se quest'anno in Texas ci avete spedito questo deficiente, vuol dire che c'è speranza per tutti?"

  5. #65

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    cavolo chicco sono nuovissime le tue ram...le mie prese 2/3 settimane fa sono 0608...ma le hai prese da TC?
    hai fatto prove per vedere se le ram sono RS?

    cmq per il voltaggio delle ram, una prova a 2.8v puoi anche farla ma in daily danne meno di volt....

    ciao

  6. #66

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    Salve sono innanzitutto nuovo del forum e felice di esserlo, sono un po' meno felice delle mie ram , sempre ucccccc ma g.skill pc4000 hz, 2x1 gb...
    Non riesco a tirarle oltre 250mhz con i seguenti timings:

    CPC = Enabled
    CAS Latency(CL) = 3
    RAS to CAS(Trcd) = 4
    Min RAS# Active time(Tras) = 8
    Row Precharge Time(Trp) = 4
    Row Cycle Time(Trc) = 11
    Row Refresh Cycle Time(Trfc) = 13
    Row to Row Delay(Trrd) = 3
    Write Recovery Time(Twr) = 3
    Write to Read Delay(Twtr) = 1
    Read to Write Delay(Trwt) = 4
    Refresh Period (Tref) = Auto
    Write CAS Latency(Twcl) = 1
    DRAM Bank Interleave = Enabled
    Skew = AUTO
    Skew Value = 0
    DRAM Drive Strength = Auto
    DRAM Data Drive Strength = Auto
    Max Async Latency = 9ns
    Read Preamble Time = 6ns
    Dram time = Fast
    Idle Cycle Limit =256
    Dynamic Counter = Disabled
    R/W Queue Bypass = 16x
    Bypass Max = 7x
    32 byte Granularity = Disable(4burst)

    I chip sono gli stessi che io sappia...suggerimenti?
    Ah sono montate su DFI Ultra-d..
    Thx

  7. #67
    Moderatore L'avatar di Kam
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    E' un amico che ho portato io...trattatemelo bene!

    ciao

    Kam

  8. #68

    Predefinito

    CPC = Enabled
    CAS Latency(CL) = 3
    RAS to CAS(Trcd) = 4
    Min RAS# Active time(Tras) = 8
    Row Precharge Time(Trp) = 4
    Row Cycle Time(Trc) = 7
    Row Refresh Cycle Time(Trfc) = 14
    Row to Row Delay(Trrd) = 2
    Write Recovery Time(Twr) = 2
    Write to Read Delay(Twtr) = 1
    Read to Write Delay(Trwt) = 3
    Refresh Period (Tref) = 3210
    Write CAS Latency(Twcl) = 1
    DRAM Bank Interleave = Enabled
    Skew = AUTO
    Skew Value = 0
    DRAM Drive Strength = 7/5
    DRAM Data Drive Strength = 3
    Max Async Latency = 8ns
    Read Preamble Time = 5ns
    Dram time = Normal
    Idle Cycle Limit =256
    Dynamic Counter = Disabled
    R/W Queue Bypass = 16x
    Bypass Max = 7x
    32 byte Granularity = Disable(4burst)


    Queste sono i timing che ho io a 270.

  9. #69
    Nexthardware Staff L'avatar di Chicco85
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    Originariamente inviato da ]Bloody|Sky[
    Salve sono innanzitutto nuovo del forum e felice di esserlo, sono un po' meno felice delle mie ram , sempre ucccccc ma g.skill pc4000 hz, 2x1 gb...
    Non riesco a tirarle oltre 250mhz con i seguenti timings:

    CPC = Enabled
    CAS Latency(CL) = 3
    RAS to CAS(Trcd) = 4
    Min RAS# Active time(Tras) = 8
    Row Precharge Time(Trp) = 4
    Row Cycle Time(Trc) = 11
    Row Refresh Cycle Time(Trfc) = 13
    Row to Row Delay(Trrd) = 3
    Write Recovery Time(Twr) = 3
    Write to Read Delay(Twtr) = 1
    Read to Write Delay(Trwt) = 4
    Refresh Period (Tref) = Auto
    Write CAS Latency(Twcl) = 1
    DRAM Bank Interleave = Enabled
    Skew = AUTO
    Skew Value = 0
    DRAM Drive Strength = Auto
    DRAM Data Drive Strength = Auto
    Max Async Latency = 9ns
    Read Preamble Time = 6ns
    Dram time = Fast
    Idle Cycle Limit =256
    Dynamic Counter = Disabled
    R/W Queue Bypass = 16x
    Bypass Max = 7x
    32 byte Granularity = Disable(4burst)

    I chip sono gli stessi che io sappia...suggerimenti?
    Ah sono montate su DFI Ultra-d..
    Thx
    Prova questi:

    CPC = Enabled
    CAS Latency(CL) = 3
    RAS to CAS(Trcd) = 4
    Min RAS# Active time(Tras) = 8
    Row Precharge Time(Trp) = 4
    Row Cycle Time(Trc) = 7
    Row Refresh Cycle Time(Trfc) = 15
    Row to Row Delay(Trrd) = 3
    Write Recovery Time(Twr) = 3
    Write to Read Delay(Twtr) = 1
    Read to Write Delay(Trwt) = 3
    Refresh Period (Tref) = 3120
    Write CAS Latency(Twcl) = 1
    DRAM Bank Interleave = Enabled
    Skew = AUTO
    Skew Value = 0
    DRAM Drive Strength = Auto
    DRAM Data Drive Strength = Auto
    Max Async Latency = 8ns
    Read Preamble Time = 5,5ns
    Dram time = normal
    Idle Cycle Limit =16
    Dynamic Counter = Disabled
    R/W Queue Bypass = 16x
    Bypass Max = 7x
    32 byte Granularity = Disable(4burst)

    Forse è il dram response time su fast a crearti qualche problema...

    P.s.: se non risolvi, attendi gente più qualificata di me, sicuramente sarà in grado di aiutarti meglio.

  10. #70

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    Salve Ragazzi, grazie innanzitutto dell'aiuto e grazie Kam per la raccomandazione
    Ho provato i settaggi da voi consigliati e non sono stabile nemmeno a 260 non passo il superpi da 1m mentre a 270 nemmeno quello da 16k
    Mi da solitamente "not exact in round"...
    Si accettano suggerimenti!

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