Di seguito elenchiamo divise per produttore le novità e le anticipazioni per il mercato NAND Flash:
| Nel dicembre 2009 Samsung, l'attuale più grande produttore di moduli nand, ha annunciato l'inizio di produzione in volumi delle nuove NAND Flash MLC a 3bit per cella. L'inizio della produzione coprirà inizialmente l'approvvigionamento per la costruzione delle nuove microSD da 8Gb. Durante il 2010 la tecnologia a 30nm utilizzata, accoppiata alla densità di 3bit per cella permetterà un sensibile abbassamento del costo per gigabyte, è facile intuire infatti che rispetto alle precendenti soluzioni MLC da 2bit per cella ricaveremo un incremento di spazio disponibile del 50%. Questa innovazione tecnologica difficilmente interesserà nel breve periodo il mondo degli SSD: come potete immaginare la logica di gestione di una cella a 3bit rende i tempi di scrittura in ambienti operativi tipici degli SSD più difficili da gestire per gli attuali controller. Non è da escludere l'introduzione di specifici moduli pensati per gli SSD, probabilmente di fascia economica, ma di larga capacità. L'aspetto che interessa maggiormente i nuovi SSD è il processo produttivo a 30nm, una volta adottato anche nei moduli destinati a questo settore, l'aumento della resa produttiva contribuirà comunque ad un netto abbassamento dei costi. In concomitanza con l'introduzione sul mercato dei moduli descritti sopra, sono stati introdotte le nuove Double Data Rata (DDR) NAND MLC; anche se la definizione può trarre in inganno, non stiamo parlando di memorie Ram, ma dell'interfaccia con cui il controller potrà comunicare con i moduli NAND. Le vecchie Single Data Rate NAND avevano una velocità stimata di circa 40 Megabits per secondo, le attuali DDR NAND sono in grado di raggiungere i 133 Megabits per secondo. |
| Durante primi giorni del 2010, in occasione del CES, Toshiba ha presentato la nuova linea di SSD HG3. La particolarità più innovativa di questi supporti è la definitiva adozione di moduli NAND MLC a 32nm. Come per Samsung le nuove celle MLC sono in grado di memorizzare 3bit. Il processo produttivo a 32nm era stato annunciato nel febbraio del 2009 e, la produzione in volumi, prevista per settembre dello stesso anno, la disponibilità dei nuovi SSD invece, e' prevista solo a partire dal secondo trimestre del 2010 probabilmente a causa di alcune carenze nella resa produttiva del processo litografico che sono state perfezionate in leggero ritardo rispetto alle aspettative. I nuovi SSD di terza generazione, oltre alle nuove Flash, utilizzeranno un nuovo controller in grado di raggiungere i 250mb/s in lettura e 180mb/s in scrittura. I tagli previsti andranno dai 64gb fino ai 512gb tutti con supporto alle funzioni Trim. Purtroppo non abbiamo ulteriori notizie riguardo il controller utilizzato o gli eventuali prezzi di vendita. |
E' dell'agosto 2009 l'annuncio di IMFT (Intel/Micron Flash Technology) riguardo l'introduzione del processo produttivo a 34nm associato alla produzioni di NAND Flash MLC a 3bit per cella e, come per tutti gli altri produttori, la prima applicazione ha interessato il segmento di mercato legato ai moduli destinati a sistemi multimediali come cellulari e lettori MP3. Anche in questo caso dall'annuncio, alla reale entrata in produzione, sono trascorsi circa 3 mesi tanto che, verso la fine dell'ottobre 2009, abbiamo assistito all'introduzione ufficiale dei nuovi moduli NAND dedicati al mondo SSD costruiti sfruttando l'ormai collaudato processo a 34nm. Come abbiamo potuto vedere nelle pagine precedenti, sia Intel che Micron sono esponenti di spicco del gruppo ONFI, questi moduli infatti, a differenza delle soluzioni degli altri due produttori, sono certificate ONFI 2.1. Uno degli aspetti meno trattati relativi alle novità di Micron, che dovrebbero iniziare ad essere prodotte in volumi proprio a partire dal mese in corso, è la nuova linea di NAND industriali in grado di raggiungere nuovi livelli di affidabilità. Le celle in questione sono in grado di triplicare il massimo numero di cicli di scrittura sia per le NAND SLC che per le NAND MLC (arrivando a 30000 cicli). L'introduzione dei primi moduli a 34nm ha caratterizzato gli SSD Intel X25 e X18 M Generazione 2 (più comunemente distinti dal nome Postville). Il semplice passaggio ai 34 nm ha determinato un aumento prestazionale consistente, non tanto per la massima banda (limitata dal controller) ma piuttosto nei tempi di accesso sensibilmente ridotti. Purtroppo il controller degli SSD è rimasto il medesimo senza poter sfruttare le features dello standard ONFI 2.1. Ma c'è un altro esponente di spicco del gruppo ONFI che invece ha sviluppato pienamente il proprio controller attorno alle potenzialità delle nuove NAND Flash a 34nm ed è l'attuale “semi-sconosciuta” SandForce, salita solo ultimamente agli onori della cronoca grazie ai comunicati stampa di famosi brand che ne hanno annunciato l'utilizzo per le proprie novità nel campo SSD. |
Tutte queste novità, oltre a scatenare la concorrenza fra i produttori, offrono la possibilità di migliorare le prestazioni degli SSD e purtroppo, come indicato in prima pagina, accelerano l'obsolescenza degli stessi. Allo stesso tempo però, ci avvicinano al processo produttivo a 2xnm che, secondo molti, metterà le basi per il definitivo passaggio alla tecnologia NAND Flash per i dispositivi di archiviazione.